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參數(shù)資料
| 型號： | BT258S-800LT |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | SCR logic level, high temperature |
| 封裝： | BT258S-800LT<SOT428 (SOT428)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<,; |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | BT258S-800LT |
BT258S-800LT_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 2 September 2008
9 of 12
NXP Semiconductors
BT258S-800LT
SCR logic level, high temperature
8.
Mounting
Plastic meets requirements of UL94 V-O at 3.175 mm
Fig 14. SOT428: minimum pad sizes for surface-mounting
001aab021
7.0
7.0
4.57
2.5
2.15
1.5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT258S-800R | Logic level thyristor |
| BT258U-600R | Logic level thyristor |
| BT258X-500R | Logic level thyristor |
| BT258X-600R | Logic level thyristor |
| BT258X-800R | Logic level thyristor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BT258S-800LT,118 | 功能描述:SCR Thyristor SCR 800V 82A 3-Pin (2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| BT258S-800LT118 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BT258S-800R | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristors logic level |
| BT258S-800R /T3 | 功能描述:SCR TAPE13 THY-GP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| BT258S-800R,118 | 功能描述:SCR TAPE13 THY-GP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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