參數(shù)資料
型號： BTA204X-800C,127
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： Three quadrant triacs high commutation - I<sub>GT</sub>: 35 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 4 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V; Package: week 32, 2004
中文描述： 800 V, 4 A, SNUBBERLESS TRIAC
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 41K
代理商： BTA204X-800C,127
Philips Semiconductors
Product specification
Three quadrant triacs
BTA204X series B and C
high commutation
GENERAL DESCRIPTION
QUICK REFERENCE DATA
Passivated high commutation triacs in
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
MAX. UNIT
a plastic full pack envelope intended
for use in circuits where high static and
BTA204X-
500B
600B
800B
dynamic dV/dt and high dI/dt can
BTA204X-
500C
600C
800C
occur. These devices will commutate
V
DRM
Repetitive peak
500
600
800
V
the full rated rms current at the
off-state voltages
maximum rated junction temperature
I
T(RMS)
RMS on-state current
4
A
without the aid of a snubber.
I
TSM
Non-repetitive peak on-state
25
A
current
PINNING - SOT186A
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
main terminal 1
2
main terminal 2
3
gate
case
isolated
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
-500
-600
-800
V
DRM
Repetitive peak off-state
-
500
1
600
1
800
V
voltages
I
T(RMS)
RMS on-state current
full sine wave;
-
4
A
T
hs ≤ 92 C
I
TSM
Non-repetitive peak
full sine wave;
on-state current
T
j = 25 C prior to
surge
t = 20 ms
-
25
A
t = 16.7 ms
-
27
A
I
2tI2t for fusing
t = 10 ms
-
3.1
A
2s
dI
T/dt
Repetitive rate of rise of
I
TM = 6 A; IG = 0.2 A;
100
A/
s
on-state current after
dI
G/dt = 0.2 A/s
triggering
I
GM
Peak gate current
-
2
A
V
GM
Peak gate voltage
-
5
V
P
GM
Peak gate power
-
5
W
P
G(AV)
Average gate power
over any 20 ms
-
0.5
W
period
T
stg
Storage temperature
-40
150
C
T
j
Operating junction
-
125
C
temperature
T1
T2
G
12 3
case
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 6 A/
s.
December 1998
1
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
BTA204X-600D,127 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 5 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 4 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: SOT186A (TO-220F); Container: Horizontal, Rail Pack
BTA204X-600E,127 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 4 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: SOT186A (TO-220F); Container: Horizontal, Rail Pack
BTA204X-600F,127 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 25 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 4 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: SOT186A (TO-220F); Container: Horizontal, Rail Pack
BTA204X-800E,127 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 4 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V; Package: SOT186A (TO-220F); Container: Horizontal, Rail Pack
BTA208-600D,127 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 5 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 8 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 1, 2005
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BTA204X-800E 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA204X-800E,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA204X-800E/L01Q 功能描述:BTA204X-800E/L01/TO-220F/STAND 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 三端雙向可控硅類型:標準 電壓 - 斷態(tài):800V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:4A 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復浪涌 50，60Hz（Itsm）:25A，27A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:10mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:12mA 配置:單一 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:600
BTA204X-800E/L03Q 功能描述:TRIAC SENS GATE 800V 4A 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) 三端雙向可控硅類型:邏輯 - 靈敏柵極 電壓 - 斷態(tài):800V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:4A 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復浪涌 50，60Hz（Itsm）:25A，27A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:10mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:12mA 配置:單一 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:50
BTA204X-800F 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Three quadrant triacs guaranteed commutation
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