參數(shù)資料
型號： BTA208-600D,127
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 5 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 8 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 1, 2005
中文描述： 600 V, 8 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/13頁
文件大?。?/td> 213K
代理商： BTA208-600D,127
1.
Product profile
1.1 General description
Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT78 plastic package.
This "series D" triac balances the requirements of commutation performance and gate
sensitivity. The "very sensitive gate" "series D" is intended for interfacing with low power
drivers including microcontrollers.
1.2 Features and benefits
3Q technology for improved noise
immunity
Direct interfacing with low power
drivers and microcontrollers
Good immunity to false turn-on by
dV/dt
High commutation capability with very
sensitive gate
High voltage capability
Planar passivated for voltage
ruggedness and reliability
Triggering in three quadrants only
1.3 Applications
Electronic thermostats
General purpose motor controls
1.4 Quick reference data
BTA208-600D
3Q Hi-Com Triac
Rev. 05 — 12 April 2011
Product data sheet
TO
-220AB
Table 1.
Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VDRM
repetitive peak
off-state voltage
--600
V
ITSM
non-repetitive peak
on-state current
full sine wave; Tj(init) =25 °C;
tp = 20 ms; see Figure 4;
--65
A
IT(RMS)
RMS on-state current
full sine wave; Tmb ≤ 102 °C;
--8
A
Static characteristics
IGT
gate trigger current
VD =12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;
Tj =25°C; see Figure 7
--5
mA
VD =12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-;
Tj =25°C; see Figure 7
--5
mA
VD =12 V; IT = 0.1 A; T2- G-;
Tj =25°C; see Figure 7
--5
mA
相關PDF資料
PDF描述
BTA208-600E,127 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 8 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 1, 2005
BTA208-600F,127 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 25 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 8 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 1, 2005
BTA208-800E,127 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 8 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V; Package: week 1, 2005
BU-65566G22N 4 CHANNEL(S), MIL-STD-1553 CONTROLLER, XMA64
BU-65566G23N 4 CHANNEL(S), MIL-STD-1553 CONTROLLER, XMA64
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BTA208-600E 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA208-600E,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA208-600F 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA208-600F,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA208-800B 功能描述:雙向可控硅 RAIL 3Q TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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