參數(shù)資料
型號(hào)： BTA208-600D,127
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 5 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 8 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 1, 2005
中文描述： 600 V, 8 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/13頁(yè)
文件大?。?/td> 213K
代理商： BTA208-600D,127
BTA208-600D
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 05 — 12 April 2011
6 of 13
NXP Semiconductors
BTA208-600D
3Q Hi-Com Triac
6.
Characteristics
Table 6.
Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Static characteristics
IGT
gate trigger current
VD =12V; IT = 0.1 A; T2+ G+; Tj =25°C;
--5
mA
VD =12V; IT = 0.1 A; T2+ G-; Tj =25 °C;
--5
mA
VD =12V; IT = 0.1 A; T2- G-; Tj =25°C;
--5
mA
IL
latching current
VD =12V; IG = 0.1 A; T2+ G+; Tj =25°C;
--15
mA
VD =12V; IG = 0.1 A; T2+ G-; Tj =25°C;
--15
mA
VD =12V; IG = 0.1 A; T2- G-; Tj =25°C;
--25
mA
IH
holding current
VD =12V; Tj =25°C; see Figure 9
--15
mA
VT
on-state voltage
IT =10 A; Tj = 25 °C; see Figure 10
--1.65
V
VGT
gate trigger voltage
VD =12V; IT = 0.1 A; Tj =25 °C;
--1.5
V
VD =400 V; IT = 0.1 A; Tj = 125 °C;
0.25
-
V
ID
off-state current
VD =600 V; Tj = 125 °C
-
0.5
mA
Dynamic characteristics
dVD/dt
rate of rise of off-state
voltage
VDM =402 V; Tj = 110 °C; exponential
waveform; gate open circuit
20
--V/s
dIcom/dt
rate of change of
commutating current
VD =400 V; Tj = 125 °C; IT(RMS) =8A;
dVcom/dt = 0.1 V/s; gate open circuit
6
--A/ms
VD =400 V; Tj = 125 °C; IT(RMS) =8A;
dVcom/dt = 10 V/s; gate open circuit;
2
--A/ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTA208-600E,127 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 8 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 1, 2005
BTA208-600F,127 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 25 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 8 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 1, 2005
BTA208-800E,127 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 8 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V; Package: week 1, 2005
BU-65566G22N 4 CHANNEL(S), MIL-STD-1553 CONTROLLER, XMA64
BU-65566G23N 4 CHANNEL(S), MIL-STD-1553 CONTROLLER, XMA64
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BTA208-600E 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA208-600E,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA208-600F 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA208-600F,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA208-800B 功能描述:雙向可控硅 RAIL 3Q TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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