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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU1706A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 5 A, 850 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | BU1706A |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU1706A
Fig.9. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.10. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BEsat
= f(I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.11. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CEsat
= f(I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.12. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BEsat
= f(I
B
); parameter I
C
Fig.13. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CEsat
= f(I
B
); parameter I
C
Fig.14. Typical DC current gain.
h
FE
= f(I
C
); parameter V
CE
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth / (K/W)
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
1E-03
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D=
BU1706A
D =
tp
T
T
P
D
t
t
p
0
1
2
3
4
IB / A
BU1706A
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
VBESAT / V
IC =
3 A
2 A
1.5 A
0.5 A
Tj = 25 C
Tj = 125 C
0.1
1
10
IC / A
VBESAT / V
BU1706A
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
IC/IB =
5
4
6
Tj = 25 C
Tj = 125 C
0.01
1
IB / A
VCESAT / V
BU1706A
10
1
0.1
0.01
0.1
10
IC = 0.5A
1.5 A
2A
3A
Tj = 25 C
Tj = 125 C
0.1
1
10
IC / A
VCESAT / V
BU1706A
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
IC/IB =
5
6
4
Tj = 25 C
Tj = 125 C
0.01
1
IC / A
BU1706A
100
10
1
0.1
0.1
10
h
FE
1 V
5 V
Tj = 25 C
Tj = 125 C
September 1997
4
Rev 1.000
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