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參數(shù)資料
| 型號： | BU1706AX |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 5 A, 850 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-186A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | BU1706AX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU1706AX
Fig.7. Switching times waveforms with inductive load.
Fig.8. Normalised power dissipation.
PD% = 100
PD/PD
25 C
= f (T
hs
)
Fig.9. Transient thermal impedance.
Z
th j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.10. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BEsat
= f(I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.11. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CEsat
= f(I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.12. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BEsat
= f(I
B
); parameter I
C
IC
IB
ICon
90 %
IBon
-IBoff
t
t
ts
toff
tf
10 %
0.1
1
10
IC / A
VBESAT / V
BU1706A
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
IC/IB =
5
4
6
Tj = 25 C
Tj = 125 C
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
with heatsink compound
0.1
1
10
IC / A
VCESAT / V
BU1706A
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
IC/IB =
5
6
4
Tj = 25 C
Tj = 125 C
1u
100u
10m
1
100
t / s
Zth / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0.001
D=0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10u
1m
100m
10
D =
tp
T
T
P
D
t
t
p
BU1706AX
0
1
2
3
4
IB / A
BU1706A
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
VBESAT / V
IC =
3 A
2 A
1.5 A
0.5 A
Tj = 25 C
Tj = 125 C
April 1994
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU1706A | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2506DF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2506 | Silicon Diffused Power Transistor |
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參數(shù)描述 |
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| BU180 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
| BU180A | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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