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參數(shù)資料
| 型號： | BU2506 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 擴散硅功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | BU2506 |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2506DF
Fig.12. Forward bias safe operating area. T
hs
= 25C
I Region of permissible DC operation.
II Extension for repetitive pulse operation.
NB: Mounted with heatsink compound and
30
±
5 newton force on the centre of
the envelope.
Fig.13. Forward bias safe operating area. T
hs
= 25C
I Region of permissible DC operation.
II Extension for repetitive pulse operation.
NB: Mounted without heatsink compound and
30
±
5 newton force on the centre of
the envelope.
1
100
100
10
1
0.1
0.01
10
1000
I
tp =
10 us
100 us
1 ms
10 ms
DC
IC / A
VCE / V
ICM max
IC max
Ptot max
= 0.01
II
1
100
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10
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0.1
0.01
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I
tp =
10 us
100 us
1 ms
10 ms
DC
IC / A
VCE / V
ICM max
IC max
II
= 0.01
Ptot max
September 1997
5
Rev 1.400
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2506DX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2507AX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2507DF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2507DX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2507 | Silicon Diffused Power Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU25065S-E3/45 | 功能描述:橋式整流器 25 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| BU25065S-M3/45 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:25A,600V,STD,INLINE POWER BRIDGE |
| BU2506AF | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| BU2506AX | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| BU2506DF | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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