參數(shù)資料
型號： BUD42D-1
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 350V五（巴西）總裁| 4A條一（c）|至251AA
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 197K
代理商： BUD42D-1
BUD42D
http://onsemi.com
7
t
fi
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
Figure 23. Inductive Storage Time, t
si
1
2
1
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 24. Forward Recovery Time, t
fr
300
2
0.5
0
I
F
, FORWARD CURRENT (AMPS)
1.5
440
340
320
Figure 25. Dynamic Saturation Voltage
Measurements
Figure 26. Inductive Switching Measurements
10
0
4
0
TIME
8
4
2
t
t
f
3
2
1.5
0.5
1.5
I
Bon
= I
Boff
V
CC
= 15 V
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
μ
H
TIME
6
8
2.5
I
B
1 & 2 = 200 mA
500 mA
50 mA
100 mA
1
360
400
380
420
,
di/dt = 10 A/ s, T
C
= 25
°
C
0 V
90% I
B
V
CE
I
B
1 s
3 s
Dyn 1 s
Dyn 3 s
2
6
10% V
clamp
I
B
I
C
90% I
B1
10% I
C
V
clamp
t
c
t
si
90% I
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUD43B1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251
BUD43BK TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA
BUD43BW TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252AA
BUD43D2-1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA
BUD44D2-1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251
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參數(shù)描述
BUD42D-1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUD42DG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUD42DT4 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUD42DT4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUD43B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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