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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUK482-60A |
| 廠(chǎng)商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 2.7 A, 60 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | BUK482-60A |
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
BUK482-60A
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 2.7 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
amb
); conditions: I
D
= 2.7 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
2
4
6
8
10
12
14
BUK482-60A
QG / nC
VGS / V
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
48
VDS / V =12
20
40
60
80
Tamb/ C
100
120
140
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
Normalised Avalanche Energy
0
VSDS / V
IF / A
BUK482-60A
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.5
1
1.5
25
Tj / C = 150
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
April 1993
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK542-100A | PowerMOS transistor Logic level FET |
| BUK542-100B | PowerMOS transistor Logic level FET |
| BUK542-60A | PowerMOS transistor Logic level FET |
| BUK542-60B | PowerMOS transistor Logic level FET |
| BUK543-100A | PowerMOS transistor Logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BUK541-100B | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3A I(D) | SOT-186 |
| BUK541-60A | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-186 |
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