參數(shù)資料
型號(hào)： BUK7624-55A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： N溝道TrenchMOS標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管
封裝： BUK7624-55A<SOT404 (D2PAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT404.html<1<week 1, 2005,;
文件頁(yè)數(shù)： 8/15頁(yè)
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代理商： BUK7624-55A
Philips Semiconductors
BUK7524-55A; BUK7624-55A
TrenchMOS standard level FET
Product specification
Rev. 02 — 01 March 2001
8 of 15
9397 750 08029
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
V
DS
= 25 V
Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 25 A
Fig 14. Gate-source voltage as a function of turn-on
gate charge; typical values.
V
GS
= 0 V
Fig 15. Reverse diode current as a function of reverse diode voltage; typical values.
03nb69
0
20
40
60
80
0
2
4
6
8
10
VGS (V)
ID
Tj = 175
O
C
Tj = 25
O
C
03nb67
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
QG (nC)
VGS
(V)
VDD = 44 V
VDD = 14 V
03nb66
0
20
40
60
80
100
120
IS
(A)
0.0
0.5
1.0
1.5
VSD (V)
Tj = 175
O
C
Tj = 25
O
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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