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參數(shù)資料
| 型號： | BUK7840-55 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| 中文描述： | 10.7 A, 55 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | BUK7840-55 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK7840-55
GENERAL DESCRIPTION
QUICK REFERENCE DATA
N-channel enhancement mode logic
level field-effect power transistor in a
plastic envelope suitable for surface
mounting.Using
’trench’
technology
thedevice features very low on-state
resistance and has integral zener
diodes giving ESD protection. It is
intended for use in automotive and
general
purpose
applications.
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
P
tot
T
j
R
DS(ON)
Drain-source voltage
Drain current
Total power dissipation
Junction temperature
Drain-source on-state
resistance
55
10.7
1.8
150
40
V
A
W
C
m
V
GS
= 10 V
switching
PINNING - SOT223
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
gate
2
drain
3
source
4
drain (tab)
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL
V
DS
V
DGR
±
V
GS
I
D
I
D
PARAMETER
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
Drain current (DC)
CONDITIONS
-
R
GS
= 20 k
-
T
= 25 C
On PCB in Fig.19
T
= 25 C
On PCB in Fig.19
T
amb
= 100 C
T
sp
= 25 C
T
= 25 C
On PCB in Fig.19
T
amb
= 25 C
-
MIN.
-
-
-
-
-
MAX.
55
55
16
10.7
5
UNIT
V
V
V
A
A
I
D
Drain current (DC)
-
3.1
A
I
DM
P
tot
P
tot
Drain current (pulse peak value)
Total power dissipation
Total power dissipation
-
-
-
40
10.7
1.8
A
W
W
T
stg
, T
j
Storage & operating temperature
- 55
150
C
ESD LIMITING VALUE
SYMBOL
V
C
PARAMETER
Electrostatic discharge capacitor
voltage
CONDITIONS
Human body model
(100 pF, 1.5 k
)
MIN.
-
MAX.
2
UNIT
kV
d
g
s
4
1
2
3
January 1998
1
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK9214-75B | TrenchMOS logic level FET |
| BUK9510-30 | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 680uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x30 mm; Packaging: Bulk |
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| BUK9514-55 | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 820uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x35 mm; Packaging: Bulk |
| BUK9518-30 | TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK7880-55 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH 55V SOT223 |
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| BUK7880-55A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET |
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