參數(shù)資料
型號(hào)： BUK7840-55
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述： 10.7 A, 55 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-223, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大小： 69K
代理商： BUK7840-55
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK7840-55
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
R
th j-sp
R
th j-amb
PARAMETER
From junction to solder point
From junction to ambient
CONDITIONS
Mounted on any PCB
Mounted on PCB of Fig.18
TYP.
12
-
MAX.
15
70
UNIT
K/W
K/W
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
V
GS(TO)
Gate threshold voltage
CONDITIONS
V
GS
= 0 V; I
D
= 0.25 mA
MIN.
55
50
2.0
1.2
-
-
-
-
-
16
-
-
TYP.
-
-
3.0
-
-
0.05
-
0.04
-
-
30
-
MAX.
-
-
4.0
-
4.4
10
100
1
10
-
40
74
UNIT
V
V
V
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
V
m
m
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1 mA
T
j
= 150C
T
j
= -55C
I
DSS
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
T
j
= 150C
I
GSS
Gate source leakage current
V
GS
=
±
10 V
T
j
= 150C
±
V
(BR)GSS
R
DS(ON)
Gate source breakdown voltage I
G
=
±
1 mA
Drain-source on-state
resistance
V
GS
= 10 V; I
D
= 5 A
T
j
= 150C
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
mb
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
g
fs
Forward transconductance
C
iss
Input capacitance
C
oss
Output capacitance
C
rss
Feedback capacitance
t
d on
Turn-on delay time
t
r
Turn-on rise time
t
d off
Turn-off delay time
t
f
Turn-off fall time
CONDITIONS
V
DS
= 25 V; I
D
= 5 A; T
j
= 25C
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V; f = 1 MHz
MIN.
3
-
-
-
TYP.
12
700
200
100
MAX.
-
880
240
140
UNIT
S
pF
pF
pF
V
DD
= 30 V; I
D
= 9 A;
V
GS
= 10 V; R
g
= 10
-
-
-
-
15
50
33
20
23
75
50
30
ns
ns
ns
ns
T
j
= 25C
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= -55 to 175C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
DR
Continuous reverse drain
current
I
DRM
Pulsed reverse drain current
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
T
sp
= 25C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
10.7
UNIT
A
T
sp
= 25C
I
F
= 5 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 5 A; -dI
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
-
-
-
-
-
40
1.1
-
-
A
V
ns
μ
C
0.85
45
0.3
January 1998
2
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9214-75B TrenchMOS logic level FET
BUK9510-30 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 680uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x30 mm; Packaging: Bulk
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BUK9518-30 TrenchMOS transistor Logic level FET
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參數(shù)描述
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BUK7880-55A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET
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