參數(shù)資料
型號(hào)： BUT12
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 100K
代理商： BUT12
1997 Aug 13
7
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT12; BUT12A
Fig.10 Collector-emitter saturation voltage as a
function of base current.
(1) I
C
= 3 A.
(2) I
C
= 6 A.
(3) I
C
= 8 A.
T
j
= 25
°
C; solid line: typical values; dotted line: maximum values.
handbook, halfpage
10
2
10
1
10
1
1
1
VCEsat
(V)
IB (A)
10
MGB872
(1)
(2)
(3)
Fig.11 DC current gain; typical values.
handbook, halfpage
MBC096
2
10
2
10
1
1
10
10
2
10
1
IC (A)
hFE
VCE = 5 V
1V
Fig.12 Test circuit resistive load.
V
CC
= 250 V; t
p
= 20
μ
s; V
IM
=
6 to +8 V; t
p
/T = 0.01.
The values of R
B
and R
L
are selected in accordance with I
Con
and
I
Bon
requirements.
handbook, halfpage
MGE244
VCC
D.U.T.
RL
RB
VIM
tp
T
0
Fig.13 Switching time waveforms with
resistive load.
t
r
≤
20 ns.
handbook, halfpage
MBB731
t
90%
10%
90%
10%
IC
IB
IB on
IB off
IC on
tr
≤
30 ns
ts
tf
ton
t
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUT12A Silicon diffused power transistors
BUT12 SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
BUT18AF Silicon diffused power transistors
BUT18 Silicon diffused power transistors
BUT18A Silicon diffused power transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUT12A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT12A/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR
BUT12AF 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors
BUT12AI 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUT12AI,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT12AI/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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