參數(shù)資料
型號(hào)： BUT12
廠商： 永盛國(guó)際集團(tuán)
英文描述： SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
中文描述： 擴(kuò)散硅功率晶體管（一般）的說(shuō)明
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
文件大?。?/td> 100K
代理商： BUT12
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of February 1996
File under Discrete Semiconductors, SC06
1997 Aug 13
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BUT12; BUT12A
Silicon diffused power transistors
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUT18AF Silicon diffused power transistors
BUT18 Silicon diffused power transistors
BUT18A Silicon diffused power transistors
BUT211X POWERLINE: RP20-S_DF - 2:1 Wide Input Voltage Range- 20 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Fixed Operating Frequency- Six-Sided Continuous Shield- International Safety Standard Approvals- Standard 50.8 x25.4x10.2mm Package- Efficiency to 89%
BUT211 Silicon Diffused Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUT12A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT12A/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR
BUT12AF 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors
BUT12AI 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUT12AI,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT12AI/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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