參數(shù)資料
型號(hào): BYM26G/50133
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi): 參考電壓二極管
英文描述: 2.4 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁(yè)數(shù): 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 293K
代理商: BYM26G/50133
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BYM300A120DN2 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1200V 300A F/DIODE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類(lèi)型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
BYM300A120DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-2 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):450A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):- 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
BYM300A160DN13C_E3222 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BYM300A170DN2 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1700V 300A F/DIODE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類(lèi)型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: