參數(shù)資料
型號： BZV55-C3V3/T3
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3.3 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大?。?/td> 410K
代理商： BZV55-C3V3/T3
BZV55_SER
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Product data sheet
Rev. 5 — 26 January 2011
3 of 13
NXP Semiconductors
BZV55 series
Voltage regulator diodes
7.
Characteristics
Fig 1.
Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values
006aab072
tp (ms)
101
104
105
103
102
110
102
10
103
Zth(j-a)
(K/W)
1
δ = 1
0.75
0.33
0.05
0.02
0.01
0.50
0.20
0.10
≤ 0.001
Table 7.
Characteristics
Tj =25 C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VF
forward voltage
IF = 10 mA
--0.9
V
IR
reverse current
BZV55-B/C2V4
VR = 1 V
--50
A
BZV55-B/C2V7
VR = 1 V
--20
A
BZV55-B/C3V0
VR = 1 V
--10
A
BZV55-B/C3V3
VR = 1 V
--5
A
BZV55-B/C3V6
VR = 1 V
--5
A
BZV55-B/C3V9
VR = 1 V
--3
A
BZV55-B/C4V3
VR = 1 V
--3
A
BZV55-B/C4V7
VR = 2 V
--3
A
BZV55-B/C5V1
VR = 2 V
--2
A
BZV55-B/C5V6
VR = 2 V
--1
A
BZV55-B/C6V2
VR = 4 V
--3
A
BZV55-B/C6V8
VR = 4 V
--2
A
BZV55-B/C7V5
VR = 5 V
--1
A
BZV55-B/C8V2
VR = 5 V
--700
nA
BZV55-B/C9V1
VR = 6 V
--500
nA
BZV55-B/C10
VR = 7 V
--200
nA
BZV55-B/C11
VR = 8 V
--100
nA
BZV55-B/C12
VR = 8 V
--100
nA
BZV55-B/C13
VR = 8 V
--100
nA
BZV55-B/C15 to BZV55-B/C75
VR =0.7VZ(nom)
--50
nA
相關PDF資料
PDF描述
BZV55C10 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
BZV85-C20 20 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB
BZW04-256B 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
BZW04-48B 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
BZW04-9V4 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BZV55C3V3-TP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.3V 600Ohms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZV55C3V6 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.6 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZV55-C3V6 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 5% SOD-80 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 3.6V, 5%, SOD-80 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 3.6V, 5%, SOD-80; Zener Voltage Vz Typ:3.6V; Power Dissipation Pd:500mW; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature Max:200C; Diode Case Style:SOD-80; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating ;RoHS Compliant: Yes
BZV55C3V6 L0G 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000
BZV55C3V6 L1 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin Mini-MELF T/R
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