BZV55_SER
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 5 — 26 January 2011
4 of 13
NXP Semiconductors
BZV55 series
Voltage regulator diodes
Table 8.
Characteristics per type; BZV55-B2V4 to BZV55-C24
Tj =25 C unless otherwise specified.
BZV55-
xxx
Sel
Working
voltage
VZ (V)
Differential resistance
rdif ()
Temperature
coefficient
SZ (mV/K)
Diode
capacitance
Cd (pF)[1]
Non-repetitive
peak reverse
current
IZSM (A)[2]
IZ =5mA
IZ =1mA
IZ =5mA
Min
Max
Typ
Max
Typ
Max
Min
Typ
Max
2V4
B
2.35
2.45
275
600
70
100
3.5
1.6
0
450
6.0
C2.2
2.6
2V7
B
2.65
2.75
300
600
75
100
3.5
2.0
0
450
6.0
C2.5
2.9
3V0
B
2.94
3.06
325
600
80
95
3.5
2.1
0
450
6.0
C2.8
3.2
3V3
B
3.23
3.37
350
600
85
95
3.5
2.4
0
450
6.0
C3.1
3.5
3V6
B
3.53
3.67
375
600
85
90
3.5
2.4
0
450
6.0
C3.4
3.8
3V9
B
3.82
3.98
400
600
85
90
3.5
2.5
0
450
6.0
C3.7
4.1
4V3
B
4.21
4.39
410
600
80
90
3.5
2.5
0
450
6.0
C4.0
4.6
4V7
B
4.61
4.79
425
500
50
80
3.5
1.4
0.2
300
6.0
C4.4
5.0
5V1
B
5.0
5.2
400
480
40
60
2.7
0.8
1.2
300
6.0
C4.8
5.4
5V6
B
5.49
5.71
80
400
15
40
2.0
1.2
2.5
300
6.0
C5.2
6.0
6V2
B
6.08
6.32
40
150
6
10
0.4
2.3
3.7
200
6.0
C5.8
6.6
6V8
B
6.66
6.94
30
80
6
15
1.2
3.0
4.5
200
6.0
C6.4
7.2
7V5
B
7.35
7.65
30
80
6
15
2.5
4.0
5.3
150
4.0
C7.0
7.9
8V2
B
8.04
8.36
40
80
6
15
3.2
4.6
6.2
150
4.0
C7.7
8.7
9V1
B
8.92
9.28
40
100
6
15
3.8
5.5
7.0
150
3.0
C8.5
9.6
10
B
9.8
10.2
50
150
8
20
4.5
6.4
8.0
90
3.0
C
9.4
10.6
11
B
10.8
11.2
50
150
10
20
5.4
7.4
9.0
85
2.5
C10.4
11.6
12
B
11.8
12.2
50
150
10
25
6.0
8.4
10.0
85
2.5
C
11.4
12.7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BZV55C10 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
BZV85-C20 20 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB
BZW04-256B 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
BZW04-48B 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
BZW04-9V4 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BZV55C3V3-TP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.3V 600Ohms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZV55C3V6 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.6 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZV55-C3V6 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 5% SOD-80 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 3.6V, 5%, SOD-80 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 3.6V, 5%, SOD-80; Zener Voltage Vz Typ:3.6V; Power Dissipation Pd:500mW; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature Max:200C; Diode Case Style:SOD-80; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating ;RoHS Compliant: Yes
BZV55C3V6 L0G 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
BZV55C3V6 L1 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin Mini-MELF T/R
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*