參數(shù)資料
型號(hào)： BZX85B
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Z-Diode(功率損耗1.3W的外延平面型齊納二極管)
中文描述： 硅外延平面穩(wěn)壓二極管（功率損耗為1.3W的外延平面型齊納二極管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
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代理商： BZX85B
BZX85B...
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
1 (5)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85607
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
Sharp edge in reverse characteristics
Low reverse current
Low noise
Very high stability
Applications
Voltage stabilization
94 9369
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
l=4mm, T
L
=25 C
Type
Symbol
P
V
T
j
T
stg
Value
1.3
175
–65...+175
Unit
W
C
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
110
Unit
K/W
l=4mm, T
L
=constant
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1
Unit
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BZX85C Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
BZX85C Silicon Epitaxial Planar Z-Diode(功率損耗1.3W的外延平面型齊納二極管)
BZY91C10 Zeners/Studs
BZY91C30R Zeners/Studs
BZY91C51 Zeners/Studs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BZX85B10 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85B10 R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 10V
BZX85B100 功能描述:穩(wěn)壓二極管 100 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85B100 R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 100V
BZX85B100-TAP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 100 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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