- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384179 > BZX85B (Vishay Intertechnology,Inc.) Silicon Epitaxial Planar Z-Diode(功率損耗1.3W的外延平面型齊納二極管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BZX85B |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Z-Diode(功率損耗1.3W的外延平面型齊納二極管) |
| 中文描述： | 硅外延平面穩(wěn)壓二極管（功率損耗為1.3W的外延平面型齊納二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | BZX85B |
BZX85B...
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
3 (5)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85607
Characteristics
(T
j
= 25 C unless otherwise specified)
–50
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
95 9612
0
50
100
150
P
t
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
200
l=4mm
l=10mm
l=20mm
Figure 1. Total Power Dissipation vs. Ambient Tempera-
ture
0
5
10
15
20
0
50
100
150
200
250
30
95 9613
R
t
l – Lead Length ( mm )
25
l
l
T
L
=constant
Figure 2. Thermal Resistance vs. Lead Length
0
10
20
30
40
1
10
100
1000
60
95 9616
C
D
V
Z
– Z-Voltage ( V )
50
f=1MHz
T
amb
=25
°
C
V
R
=30V
V
R
=20V
V
R
=5V
V
R
V
R
=2V
Figure 3. Diode Capacitance vs. Z–Voltage
1
10
100
95 9615
1
10
100
1000
r
Z
V
Z
– Z-Voltage ( V )
I
Z
=1mA
5mA
10mA
2mA
20mA
Figure 4. Differential Z–Resistance vs. Z–Voltage
1
10
100
1000
Z
t
t
p
– Pulse Length ( ms )
95 9614
10
–1
10
0
10
1
10
2
10
3
t
p
/T=0.5
t
p
/T=0.2
t
p
/T=0.1
t
p
/T=0.05
t
p
/T=0.02
t
p
/T=0.01
Single Pulse
R
thJA
=110K/W
T=T
jmax
–T
amb
i
ZM
=(–V
Z
+(V
Z2
+4r
zj
T/Z
thp
)
1/2
)/(2r
zj
)
Figure 5. Thermal Response
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZX85C | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZX85C | Silicon Epitaxial Planar Z-Diode(功率損耗1.3W的外延平面型齊納二極管) |
| BZY91C10 | Zeners/Studs |
| BZY91C30R | Zeners/Studs |
| BZY91C51 | Zeners/Studs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BZX85B10 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZX85B10 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 10V |
| BZX85B100 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 100 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZX85B100 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 100V |
| BZX85B100-TAP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 100 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。