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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：13969210552
地址：中國(guó)上海
321222
TI
con
24+
-
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

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深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
Ti
(DQJ)
21
-
瑞智芯只有原裝

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深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)中心3204室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
321222
TI
con
24+
-
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

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深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室
321222
TI
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
321222
TI
con
24+
-

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天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
321222
TI
con
24+
-

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北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

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深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
29268
TI/德州儀器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原裝

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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
13750
TI
VSON8
15+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3589
TI/華雄半導(dǎo)體
QFN
2227+
-
十年專營(yíng)，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平門(mén)
漏源極電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
17A（Ta），100A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
5.9 毫歐 @ 18A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
36nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
2750pF @ 30V
功率 - 最大值
3.2W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝
8-VSON（5x6）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

CSD18533Q5AT 技術(shù)參數(shù)

CSD18533Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.9 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2750pF @ 30V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-SON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18533KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:72A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3025pF @ 30V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD18532Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:58nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5070pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），156W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18532Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5070pF @ 30V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18532NQ5BT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5340pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18537NKCS CSD18537NQ5A CSD18537NQ5AT CSD18540Q5B CSD18540Q5BT CSD18541F5 CSD18541F5T CSD18542KCS CSD18542KTT CSD18542KTTT CSD18543Q3A CSD18543Q3AT CSD18563Q5A CSD18563Q5AT CSD19501KCS CSD19502Q5B CSD19502Q5BT CSD19503KCS