VDD
參數(shù)資料
型號： C8051F350-TB
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 208/234頁
文件大?。?/td> 0K
描述： PROTOTYPINGBOARDWITH C8051F350
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
類型： MCU
適用于相關(guān)產(chǎn)品： C8051F350
所含物品： 板
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁當(dāng)前第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁
Rev. 1.1
75
C8051F350/1/2/3
Table 7.1. Voltage Reference Electrical Characteristics
VDD = 3.0 V; –40 to +85 °C unless otherwise specified.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Internal Reference
Output Voltage
25 °C ambient
2.35
2.45
2.50
V
VREF Short-Circuit Current
To AGND
To AV+
—
9
20
—
mA
A
VREF Temperature Coefficient
—
15
—
ppm/°C
Load Regulation
Load = 0 to 200 A to AGND
—
0.5
—
ppm/A
VREF Turn-on Time 1 (0.01%)
4.7 F tantalum, 0.1 F ceramic
bypass capacitors
—
3.9
—
ms
VREF Turn-on Time 2 (0.01%)
0.1 F ceramic bypass capacitor
—
400
—
s
VREF Turn-on Time 3 (0.01%)
no bypass capacitor
—
3
—
s
Power Supply Rejection
—
50
—
dB
External Reference
Input Voltage Range
(VREF+ – VREF–)
1
2.5
AV+
V
Voltage on VREF+ or VREF– pin
with respect to AGND
0
—
AV+
V
Input Current
VREF = 2.5 V
—
2
—
A
Common Mode Rejection Ratio
—
120
—
dB
Power Specifications
Internal Reference Bias and Band
Gap Generator
—
106
135
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GEM25DTKT-S288 CONN EDGECARD 50POS .156 EXTEND
RMC07DRXI CONN EDGECARD 14POS DIP .100 SLD
VI-BT0-EY CONVERTER MOD DC/DC 5V 50W
SDR-40-49 SCOTCH CODE REFILL # 40-49
EBC17DRAI CONN EDGECARD 34POS R/A .100 SLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
C8051F350-TB-K 功能描述:PROTOTYPINGBOARDWITH C8051F350 制造商:silicon labs 系列:- 零件狀態(tài):在售 板類型:評估平臺 類型:MCU 8-位 核心處理器:8051 操作系統(tǒng):- 平臺:- 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:C8051F35x 安裝類型:固定 內(nèi)容:板 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
C8051F351 功能描述:8位微控制器 -MCU 24-bit ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
C8051F351GM 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:
C8051F351-GM 功能描述:8位微控制器 -MCU 24-bit ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
C8051F351-GMR 功能描述:8位微控制器 -MCU 24-bit ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*