參數(shù)資料
型號： CAT24C44V-TE13
英文描述： 256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM
中文描述： 256位串行非易失性的CMOS靜態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 97K
代理商： CAT24C44V-TE13
4
CAT24C44
Doc. No. 1083, Rev. R
2005 by Catalyst Semiconductor, Inc.
Characteristics subject to change without notice
A.C. CHARACTERISTICS
V
CC
= 5V
±
10%, unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
Conditions
F
SK
SK Frequency
DC
1
MHz
t
SKH
SK Positive Pulse Width
400
ns
t
SKL
SK Negative Pulse Width
400
ns
C
L
= 100pF + 1TTL gate
t
DS
Data Setup Time
400
ns
V
OH
= 2.2V, V
OL
= 0.65V
t
DH
Data Hold Time
80
ns
V
IH
= 2.2V, V
IL
= 0.65V
t
PD
SK Data Valid Time
375
ns
Input rise and fall times = 10ns
t
Z
CE Disable Time
1
μ
s
t
CES
CE Enable Setup Time
800
ns
t
CEH
CE Enable Hold Time
400
ns
t
CDS
CE De-Select Time
800
ns
A.C. CHARACTERISTICS, Store Cycle
V
CC
= 5V
±
10%, unless otherwise specified.
Limits
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
Conditions
t
ST
Store Time
10
ms
C
L
= 100pF + 1TTL gate
t
STP
Store Pulse Width
200
ns
V
OH
= 2.2V, V
OL
= 0.65V
t
STZ
Store Disable Time
100
ns
V
IH
= 2.2V, V
IL
= 0.65V
A.C. CHARACTERISTICS, Recall Cycle
V
CC
= 5V
±
10%, unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
μ
s
Conditions
t
RCC
Recall Cycle Time
2.5
t
RCP
Recall Pulse Width
500
ns
C
L
= 100pF + 1TTL gate
t
RCZ
Recall Disable Time
500
ns
V
OH
= 2.2V, V
OL
= 0.65V
t
ORC
Recall Enable Time
10
ns
V
IH
= 2.2V, V
IL
= 0.65V
t
ARC
Recall Data Access Time
1.5
μ
s
INSTRUCTION SET
Format
Address
Instruction
Start Bit
OP Code
Operation
WRDS
1
XXXX
0 0 0
Reset Write Enable Latch (Disables, Writes and Stores)
STO
1
XXXX
0 0 1
Store RAM Data in EEPROM
WRITE
1
AAAA
0 1 1
Write Data into RAM Address AAAA
WREN
1
XXXX
1 0 0
Set Write Enable Latch (Enables, Writes and Stores)
RCL
1
XXXX
1 0 1
Recall EEPROM Data into RAM
READ
1
AAAA
1 1 X
Read Data From RAM Address AAAA
X = Don
’
t care
A = Address bit
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PDF描述
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