參數(shù)資料
型號： CAT28LV256T13E-20T
英文描述： 256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
中文描述： 256K位CMOS并行E2PROM的
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： CAT28LV256T13E-20T
CAT28LV256
4
Doc. No. 1071, Rev. B
D.C. OPERATING CHARACTERISTICS
V
CC
= 3.0V to 3.6V, unless otherwise specified
Limits
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
Test Conditions
I
CC
V
CC
Current (Operating, TTL)
15
mA
CE
=
OE
= V
IL
,
f = 1/t
RC
min, All I/O’s Open
I
SBC(2)
V
CC
Current (Standby, CMOS)
150
μ
A
CE
= V
IHC
,
All I/O’s Open
I
LI
Input Leakage Current
–1
1
μ
A
μ
A
V
IN
= GND to V
CC
I
LO
Output Leakage Current
–5
5
V
OUT
= GND to V
CC
,
CE
= V
IH
V
IH(2)
High Level Input Voltage
2
V
CC
+0.3
V
V
IL
Low Level Input Voltage
–0.3
0.6
V
V
OH
High Level Output Voltage
2
V
I
OH
= –100
μ
A
V
OL
Low Level Output Voltage
0.3
V
I
OL
= 1.0mA
V
WI
Write Inhibit Voltage
2
V
A.C. CHARACTERISTICS, Read Cycle
V
CC
= 3.0V to 3.6V, unless otherwise specified
28LV256-20
28LV256-25
28LV256-30
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max. Units
t
RC
Read Cycle Time
200
250
300
ns
t
CE
CE
Access Time
200
250
300
ns
t
AA
Address Access Time
200
250
300
ns
t
OE
OE
Access Time
80
100
110
ns
t
LZ(1)
CE
Low to Active Output
0
0
0
ns
t
OLZ(1)
OE
Low to Active Output
0
0
0
ns
t
HZ(1)(3)
CE
High to High-Z Output
50
55
60
ns
t
OHZ(1)(3)
OE
High to High-Z Output
50
55
60
ns
t
OH(1)
Output Hold from Address Change
0
0
0
ns
Note:
(1) This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
(2) V
IHC
= V
CC
–0.3V to V
CC
+0.3V.
(3) Output floating (High-Z) is defined as the state when the external data line is no longer driven by the output buffer.
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