參數(shù)資料
型號(hào)： CFY25-20
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)
中文描述： X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
封裝： MICRO-X-4
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 2088K
代理商： CFY25-20
CFY25
Semiconductor Group
3 of 8
Draft D, Sep. 0000
Electrical Characteristics
(at T
A
=25°C; unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteristics
Drain-source saturation current
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
I
Dss
15
30
60
mA
Gate threshold voltage
V
DS
= 3 V, I
D
= 1 mA
-V
Gth
0.3
1.0
3.0
V
Drain current at pinch-off
V
DS
= 3 V, V
GS
= - 4 V
I
Dp
-
< 100
-
μA
Gate leakage current at pinch-off
V
DS
= 3 V, V
GS
= - 4 V
-I
Gp
-
< 100
200
μA
Transconductance
V
DS
= 3 V, I
D
= 15 mA
g
m15
35
40
-
mS
Gate leakage current at operation
V
DS
= 3 V, I
D
= 15 mA
-I
G15
-
< 1
2
μA
Thermal resistance
junction to soldering point
R
th JS
-
370
-
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CFY25-23 GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)
CFY67 HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY67-06 HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY67-08 HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY67-08P HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CFY25-20 (S) 功能描述:射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
CFY25-20P 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25-23 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25-23 (P) 功能描述:射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
CFY25-23P 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
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