型號: | CFY25-20 |
廠商: | SIEMENS A G |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization) |
中文描述: | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
封裝: | MICRO-X-4 |
文件頁數(shù): | 7/8頁 |
文件大?。?/td> | 2088K |
代理商: | CFY25-20 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CFY25-23 | GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization) |
CFY67 | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
CFY67-06 | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
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CFY67-08P | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CFY25-20 (S) | 功能描述:射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
CFY25-20P | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET |
CFY25-23 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET |
CFY25-23 (P) | 功能描述:射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
CFY25-23P | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET |