品牌:Samsung/三星 | 型號:11N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:? | 跨導(dǎo):? | 開啟電壓:11A，600V， | 夾斷電壓:? | 低頻噪聲系數(shù):? | 極間電容:? | 最大耗散功率:?

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G20N60B3D | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:直插型 | 應(yīng)用范圍:開關(guān)

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:6R160C6 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

類型:其他IC | 品牌:英飛凌，先童 | 型號:20N60S5 | 最大漏極電流:，，， | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:，，，，，，，，，，，， | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結(jié)型(JFET) | 夾斷電壓:，，，，，，，，，， | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數(shù):，，，， | 極間電容:，，， | 最大耗散功率:，，，， | 低頻跨導(dǎo):，，，，

品牌:ST/意法 | 型號:SD20N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:6 | 跨導(dǎo):6 | 開啟電壓:6 | 夾斷電壓:6 | 低頻噪聲系數(shù):6 | 極間電容:6 | 最大耗散功率:6

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:20N60 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

類型:通信IC | 品牌:N\A | 型號:20N60 | 封裝:TO-220 | 批號:拆機.散新

類型:通信IC | 品牌:N/A | 型號:K20D60U | 封裝:TO-220 | 批號:拆機.散新

類型:通信IC | 品牌:N/A | 型號:K20A60U | 封裝:TO-220 | 批號:拆機.散新

品牌:ST/意法 | 型號:STW20NM60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:5 | 跨導(dǎo):5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5

類型:通信IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:20N60S5 | 封裝:TO-220 | 批號:拆機.散新

品牌:英飛凌.ST.ON | 型號:20N60.10N60 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 產(chǎn)品性質(zhì):熱銷 | 集電極最大耗散功率PCM:. | 功率特性:大功率 | 營銷方式:現(xiàn)貨 | 集電極最大允許電流ICM:. | 封裝形式:TO-220 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:. | 結(jié)構(gòu):合金型 | 封裝材料:金屬封裝 | 頻率特性:高頻 | 應(yīng)用范圍:功率

品牌:各種進口名牌廠家 | 型號:STW20NM60 | 種類:結(jié)型 | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HG20N60B3 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-247