品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF620S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個(gè)
¥2.00
100-999 個(gè)
¥1.80
≥1000 個(gè)
¥1.50
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF7303 F7303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個(gè)
¥2.00
品牌:OGFD | 型號(hào):G22 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.01
品牌:OGFD | 型號(hào):1601 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型
≥50 個(gè)
¥0.01
類型:通信IC | 品牌:IR | 型號(hào):IRF7832TRPBF | 封裝:SOP-8 | 批號(hào):13
品牌:進(jìn)口/臺(tái)灣/國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):FQD12P10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MAP/匹配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.01
品牌:其他 | 型號(hào):SI2302DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
≥1 個(gè)
¥0.11
≥1 PCS
¥0.10
類型:通信IC | 品牌:IR | 型號(hào):IRFR220NPBF | 功率:標(biāo)準(zhǔn) | 封裝:TO-252 | 批號(hào):13+
≥5 PCS
¥1.20
品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO4408 4408 AO4409 4409 SOP8 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:FM/調(diào)頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 功率:大 | 針腳數(shù):8 | 封裝:SOP8
≥10 個(gè)
¥0.59
品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO4403 4403貼片 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:FM/調(diào)頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:原裝數(shù)據(jù) | 針腳數(shù):8 | 封裝:SOP8 原裝進(jìn)口
≥10 個(gè)
¥0.59
品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO4401 4401貼片 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:FM/調(diào)頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 功率:大 | 針腳數(shù):8 | 封裝:SOP8 全新原裝進(jìn)口
≥10 個(gè)
¥0.59
品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO4405 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQD5N50 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.94
品牌:ON/安森美 | 型號(hào):2N7000G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:頻道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1 個(gè)
¥0.01
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFR220NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET),絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道,N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型,增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插,P-DIT/塑料雙列直插
品牌:AO | 型號(hào):AO3400 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號(hào):12 | 封裝:貼片SOT23
≥100 個(gè)
¥0.30
品牌:OGFD | 型號(hào):2305 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1 個(gè)
¥0.01
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM3K15ACT | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥8000 個(gè)
¥0.25