• TK11230CMCL-G 二三極管 晶體管 場效應(yīng)管 穩(wěn)壓器 TK11230

      品牌:TOKO | 型號:TK11230CMCL-G STF130N10F3 STF13N60M2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 場效應(yīng)管:STF14NM50N STF14NM65N STF15N65M5 STF15N80K5 | 穩(wěn)壓器:STF15NM60ND STF15NM65N STF16N50U STF16N65M5 | 二三極管 晶體管:STF13N80K5 STF13N95K3 STF13NK50Z STF13NM60N

    • ≥1 個

      ￥0.01

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    • 場效應(yīng)管SGH80N60UFD G80N60UFD

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G80N60UFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • 1-449

      ￥12.00

    • ≥450

      ￥11.00

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    • 拆IGBT---機場效應(yīng)G80N60UFD

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G80N60UFD | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:600 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:80 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:15

    • ≥50 個

      ￥10.00

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    • 進口SGH40N60UFD,G40N60UFD,仙童高速型單管

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SGH23N60UFD，SGH40N60UFD，SGH80N60UFD，SGL160N60UFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 跨導(dǎo):標(biāo)準(zhǔn) | 開啟電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 夾斷電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn) | 最大耗散功率:標(biāo)準(zhǔn)

    • ≥50 個

      ￥9.00

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    • 無鉛:IPP070N06L G 60V 場效應(yīng)管

      品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP070N06L G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:80A | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1

    • ≥20 個

      ￥2.00

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    • 場效應(yīng)管 CEP80N75,CEP60N06G

      品牌:CET/華瑞 | 型號:CEP80N75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

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    • 場效應(yīng)管 IPA057N08N3G 057N08N

      品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPA057N08N3G，MOS，80V，60A，0.0057Ω，220F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:60A | 開啟電壓:3.5 | 夾斷電壓:20

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    • G80N60UFD

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G80N60UFD | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):-- | 最大漏極電流:GHFD | 開啟電壓:674 | 夾斷電壓:563 | 低頻噪聲系數(shù):G46 | 極間電容:62 | 最大耗散功率:GSR

    • 100-499 個

      ￥8.00

    • ≥500 個

      ￥7.50

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    • G80N60UFD

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G80N60UFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:40A | 開啟電壓:6.5 | 夾斷電壓:20 | 低頻噪聲系數(shù):原廠規(guī)格 | 極間電容:2790 | 最大耗散功率:195W | 低頻跨導(dǎo):原廠規(guī)格

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    • 無鉛場效應(yīng)管,G80N60UFD

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G80N60UFD | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:10 | 跨導(dǎo):10 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數(shù):10 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:10

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