種類:場效應管 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3565

品牌:AD/亞德諾 | 型號:AD8061ART | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:SOT-23-5 | 應用范圍:振蕩

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3565 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 材料:SIT靜電感應

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI7738DP-T1-E3，QFN8 5*6，SMD/MOS，N場，150V，30A，0.038Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功率:96W | 電壓:150V | 電流:30A

品牌:STANSON | 型號:ST2315 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 封裝:SOT-23

品牌:STANSON | 型號:ST2304SRG | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 封裝:SOT-23

品牌:MITSUBISHI/三菱 | 型號:FS5SM-16A | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:TO-3P

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NC7SZ126P5X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 批號:2013 | 封裝:SC70-5

類型:通信IC | 品牌:ST | 型號:SI2305DS-T1-E3 | 封裝:TO-223 | 批號:13

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3236 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 類型:其他IC | 應用范圍:功率

品牌:MagnaChip/美格納 | 型號:MDF18N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:18A | 開啟電壓:5V | 最大耗散功率:37W

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4PH20KD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4PH20K | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:CR | 型號:CR6224 SOP8/DIP8 | 功率:5W | 用途:音響 | 封裝:SOP8/DIP8 | 批號:15+

品牌:美國IPS | 型號:ISA05N50A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:光/光耦合 | 品牌:OMRON/歐姆龍 | 型號:G3VM-353A/A1/D/D1 | 產(chǎn)品系列:G3 | 觸點負載:微功率 | 觸點形式:常開型 | 額定電流:5 | 額定電壓:AC/DC12 | 防護特征:敞開式 | 電流性質(zhì):直流 | 外形尺寸:小型

應用范圍:光/光耦合 | 品牌:OMRON/歐姆龍 | 型號:G3VM-351A/D | 產(chǎn)品系列:G3 | 觸點負載:弱功率 | 觸點形式:常開型 | 額定電流:5 | 額定電壓:AC/DC24 | 防護特征:敞開式 | 電流性質(zhì):直流 | 外形尺寸:小型

品牌:KIA | 型號:KIA5N60 | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:新批號2011+ 2012+ | 封裝:TO220F