類(lèi)型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB4110 | 功率:-- | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝:TO-220 | 批號(hào):--
≥100 個(gè)
￥2.30
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):CJ2305 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1.7 | 擊穿電壓VCBO:8 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):15N06 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導(dǎo):**** | 開(kāi)啟電壓:15 | 夾斷電壓:6 | 低頻噪聲系數(shù):/ | 極間電容:*
≥100 個(gè)
￥1.50
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K2049 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:57 | 跨導(dǎo):7 | 開(kāi)啟電壓:52 | 夾斷電壓:25 | 低頻噪聲系數(shù):** | 極間電容:****
≥100 個(gè)
￥0.60
品牌:IRF540 | 型號(hào):IRF540 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:TO220 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--
≥100 個(gè)
￥0.55
品牌:IRF540N | 型號(hào):IRF540N | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:TO220 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--
≥100 個(gè)
￥0.50
品牌:IRF530 | 型號(hào):IRF530 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:TO220 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--
≥100 個(gè)
￥0.35
≥200 個(gè)
￥1.00
≥500 個(gè)
￥0.50
≥500 個(gè)
￥1.30
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFS4410 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道
≥200 個(gè)
￥1.20
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB4227 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1
≥200 個(gè)
￥1.50
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB3507 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個(gè)
￥1.50
品牌:Federick美國(guó) | 型號(hào):FQP50N06 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:0.1 | 開(kāi)啟電壓:2 | 夾斷電壓:20 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:500 | 最大耗散功率:1
≥1 K
￥1.20
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB4227 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個(gè)
￥2.20
品牌:VAL德國(guó)凡爾伏 | 型號(hào):80N75 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導(dǎo):11 | 開(kāi)啟電壓:84 | 夾斷電壓:60 | 低頻噪聲系數(shù):* | 極間電容:**
≥100 個(gè)
￥1.60
品牌:Teledyne美德 | 型號(hào):75229P | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導(dǎo):*** | 開(kāi)啟電壓:260 | 夾斷電壓:30 | 極間電容:*
≥100 個(gè)
￥1.20
品牌:中性 | 型號(hào):8205A | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:LLCC/無(wú)引線陶瓷片載 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 低頻跨導(dǎo):5
≥100 個(gè)
￥0.13
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB31N20 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MAP/匹配對(duì)管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個(gè)
￥0.60
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF9Z34N | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 低頻跨導(dǎo):5
≥100 個(gè)
￥1.30