應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:SS8550D | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92 | 封裝方式:插件三極管
≥1 PCS
¥0.06
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:SS8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92
1-9 K
¥40.00
10-99 K
¥38.00
≥100 K
¥35.00
類型:其他IC | 品牌:S | 型號:S8550 | 功率:90% | 用途:手機(jī) | 封裝:SOT23 | 批號:最新
10-999 PCS
¥0.50
≥1000 PCS
¥0.35
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:SS8550D | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92 | 封裝方式:插件三極管
≥1 PCS
¥0.15
品牌:長電 | 型號:SI2302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 封裝形式:SOT-23 | 應(yīng)用范圍:MOS
3-5 K
¥82.00
6-8 K
¥78.00
≥9 K
¥72.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4229 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
≥100 個
¥2.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4215 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
¥0.60
≥1
¥1.80
應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:國產(chǎn)原裝 | 型號:SS8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92
1-49 K
¥30.00
≥50 K
¥29.50
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:CJ | 型號:SS8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:S0T-23
≥1 PCS
¥0.05
類型:其他IC | 品牌:進(jìn)口原裝 | 型號:雙S大電流 三極管 SS8550 50只 TO-92 | 功率:50W | 封裝:DIP/SMD | 批號:2014+
≥1 PCS
¥3.85
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KTC3544T | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.9 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 截止頻率fT:150
≥3000 PCS
¥0.37
類型:穩(wěn)壓IC | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SD1007 | 功率:120V 0.7A 2W | 用途:儀器 | 封裝:SOT-89 | 批號:2013
≥1000 PCS
¥0.18
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:SS8550D | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92
≥1 PCS
¥0.05
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:仙童/長電 | 型號:SS8050 SS8050 Y1 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 極性:NPN型 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:22
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:S8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
10-99 PCS
¥0.10
100-999 PCS
¥0.05
≥1000 PCS
¥0.03
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:SS8550 | 封裝形式:TO-92 | SS8550:SS8550
50-199 PCS
¥0.10
200-399 PCS
¥0.09
≥400 PCS
¥0.08
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:SS850 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
≥3000 PCS
¥0.06
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:S8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:SS8550D | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:1
1-1 K
¥48.00
2-2 K
¥45.00
≥3 K
¥42.00