品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB4229 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:ST/意法 | 型號(hào):MJ2955 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:中芯 | 型號(hào):3DD100 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:1.5 | 截止頻率fT:3 | 備注:全新原裝 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 產(chǎn)品類(lèi)型:穩(wěn)壓管 | 是否進(jìn)口:否 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):BCP51 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT223 | 類(lèi)型:其他IC | 批號(hào):14+ | 封裝:sot223

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):G3DF7 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:功率型 | 擊穿電壓VCBO:150 | 集電極最大允許電流ICM:7.5 | 截止頻率fT:100

品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRFP460場(chǎng)效應(yīng)管 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:TO-247-3 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號(hào):MC7812CTG | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 用途:L/功率放大 | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:耗盡型

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDA59N25 | 溝道類(lèi)型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:500 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:16 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應(yīng)用范圍:放大

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):47N60C3 | 溝道類(lèi)型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:47 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:650 | 應(yīng)用范圍:放大

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXFH32N50Q | 溝道類(lèi)型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 應(yīng)用范圍:放大

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):GT40T301 | 溝道類(lèi)型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:5 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應(yīng)用范圍:放大

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):16N50C3 | 溝道類(lèi)型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:500 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:16 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應(yīng)用范圍:放大