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- 2SK4111 600V10A 塑封場(chǎng)效應(yīng)管東芝進(jìn)口
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K4111 2SK4111 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 10a場(chǎng)效應(yīng)管塑封場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥5.00
- 詢(xún) 價(jià)
- K13A60D 13A 600V TO-220F塑封東芝MOS場(chǎng)效應(yīng)管
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：塑封場(chǎng)效應(yīng)管 mos場(chǎng)效應(yīng)管
- 1-9 個(gè)
  
  ￥3.00
- 10-99 個(gè)
  
  ￥2.50
- ≥100 個(gè)
  
  ￥2.00
- 詢(xún) 價(jià)
- SSM6N15FU/復(fù)合雙N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/30V 0.1A/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6N15FU | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢(xún) 價(jià)
- SSM6N16FE/復(fù)合場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 雙N溝道 20V 0.1A SOT-563/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6N16FE | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.48
- 詢(xún) 價(jià)
- HN7G02FU/復(fù)合管 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET+PNP/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):HN7G02FU | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.05A | 最大源漏電壓VDSS:20V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢(xún) 價(jià)
- SSM6K06FU/20V 1.1A/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6K06FU | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率Pd:0.3W | 最大漏極電流ID:1.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢(xún) 價(jià)
- SSM6K07FU/30V 1.5A/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6K07FU | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:1.5A | 最大源漏電壓VDSS:30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.58
- 詢(xún) 價(jià)
- SSM6K08FU/20V 1.6A/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6K08FU | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:1.6A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.58
- 詢(xún) 價(jià)
- SSM6J06FU/20V 0.65A/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6J06FU | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-0.65A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.48
- 詢(xún) 價(jià)
- SSM6J08FU/20V 1.3A/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6J08FU | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-1.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.48
- 詢(xún) 價(jià)
- SSM6J07FU/30V 0.8A/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6J07FU | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-0.8A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢(xún) 價(jià)
- K4111 600V10A 塑封場(chǎng)效應(yīng)管東芝進(jìn)口
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K4111 2SK4111 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：塑封場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥5.00
- 詢(xún) 價(jià)
- TPC6104/P溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS 20V 5.5A SOT-163/筆記本手提用/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TPC6104 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mos場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.68
- 詢(xún) 價(jià)
- SSM6L05FU/復(fù)合場(chǎng)效應(yīng)管MOS N溝道+P溝道 20V 0.4A SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6L05FU | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | Nch MOSFET參數(shù):Vds=20V，Id=0.4A | 最大耗散功率PD:0.3W | Pch MOSFET參數(shù):Vds=-20V，Id=-0.2A
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.58
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管2SK2843 K2843 TO-220F塑封電源開(kāi)關(guān) 國(guó)產(chǎn)東芝
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):2SK2843 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：塑封場(chǎng)效應(yīng)管國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥2.15
- 詢(xún) 價(jià)
- 3SK259/調(diào)諧 RF放大/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-343/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):3SK259 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:TUN/調(diào)諧 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:13.5V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢(xún) 價(jià)
- TPC6004/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-163/TOSHIBA東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TPC6004 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:6A | 最大源漏電壓VDSS:20V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： n溝道m(xù)os管 mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.85
- 詢(xún) 價(jià)
- HN1K02FU/復(fù)合雙N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS 20V 50mA SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):HN1K02FU | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢(xún) 價(jià)
- 東芝場(chǎng)效應(yīng)管塑封直插 2SJ380 J380
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SJ380 J380 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | .:.
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：塑封場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥50 個(gè)
  
  ￥1.80
- 詢(xún) 價(jià)
- K2613 8A 1000V TOSHIBA 東芝場(chǎng)效應(yīng)管大功率進(jìn)口
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K2613 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大功率場(chǎng)效應(yīng)管 1000v場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥10 個(gè)
  
  ￥6.00
- 詢(xún) 價(jià)