成人区精品人妻人妻AV,gary武警Gary个人资料

- IR 場(chǎng)效應(yīng)管IRF6645 場(chǎng)效應(yīng)MOS管大功率MOS管
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF6645 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大功率場(chǎng)效應(yīng)管
- 5-9999 個(gè)
  
  ￥3.00
- ≥10000 個(gè)
  
  ￥2.75
- 詢價(jià)
- 4A 650V美國(guó)PIP大功率場(chǎng)效應(yīng)管大功率MOS管PSA04N65
  
  品牌:PIP | 型號(hào):PSA04N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 功率:4A 650V | 針腳數(shù):3 | 封裝:TO-220F
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：美國(guó)mos管大功率場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.80
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)大電流FDD6680 全系列大功率MOS管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDD6680 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大功率場(chǎng)效應(yīng)管大電流場(chǎng)效應(yīng) 大電流mos管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)大電流AOD409 大功率全系列MOS管
  
  品牌:萬(wàn)代 | 型號(hào):AOD409 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場(chǎng)效應(yīng)管大電流場(chǎng)效應(yīng) 大電流mos管
- 100-999 個(gè)
  
  ￥0.71
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- 15N60C3 SPW15N60C3 TO-247 大功率場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管進(jìn)口英飛凌
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):SPW15N60C3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 15n60場(chǎng)效應(yīng)管大功率場(chǎng)效應(yīng)管英飛凌mos管
- ≥30 個(gè)
  
  ￥5.88
- 詢價(jià)
- 三墾 MOS管大功率行管電源控制器管 FN521 大電流
  
  品牌:SK | 型號(hào):FN521 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TR/激勵(lì)、驅(qū)動(dòng) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場(chǎng)效應(yīng)管大電流mos管
- ≥10 個(gè)
  
  ￥8.55
- 詢價(jià)
- IR場(chǎng)效應(yīng)管 IRFP044N IRFP044NPBF MOS管 TO-247大功率
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP044NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):55 | 最大漏極電流:55 | 開啟電壓:55
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大功率場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥25 個(gè)
  
  ￥5.00
- 詢價(jià)
- 大功率MOS管 AOB20C60 20A 600V 高壓大電流
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AOB20C60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 60a場(chǎng)效應(yīng)管高壓mos管大電流mos管
- 1-9 個(gè)
  
  ￥0.30
- 10-99 個(gè)
  
  ￥0.20
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- IRFPS40N50L大功率場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 MOSFET
  
  類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFPS40N50L | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大功率場(chǎng)效應(yīng)管 mosfet場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥30 個(gè)
  
  ￥17.00
- 詢價(jià)
- IR品牌大功率MOS管場(chǎng)效應(yīng)管電焊機(jī) 逆變器電源 IRFP260MPBF
  
  品牌:IR | 型號(hào):IRFP260M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TR/激勵(lì)、驅(qū)動(dòng) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大功率場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥10 個(gè)
  
  ￥3.75
- 詢價(jià)
- IR品牌大功率MOS管場(chǎng)效應(yīng)管電焊機(jī) 逆變器電源 IRFP450PBF
  
  品牌:IR | 型號(hào):IRFP450 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TR/激勵(lì)、驅(qū)動(dòng) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大功率場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥10 個(gè)
  
  ￥4.18
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口MOS管仙童 FQA 11N90C 大功率900V11A 電動(dòng)車充電器專用
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA 11N90C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：仙童mos管
- ≥200 個(gè)
  
  ￥1.85
- 詢價(jià)
- 2N60 FQP2N60 場(chǎng)效應(yīng)管大功率MOS管
  
  品牌:江蘇東光 | 型號(hào):2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：電子拆機(jī) 大功率場(chǎng)效應(yīng)管 2n60場(chǎng)效應(yīng)管
- 5-999 個(gè)
  
  ￥0.50
- 1000-99999 個(gè)
  
  ￥0.46
- ≥100000 個(gè)
  
  ￥0.39
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口MOS管英飛凌 15N60C3 大功率650V15A電動(dòng)車充電器專用
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):15N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：英飛凌mos管
- 500-4999 個(gè)
  
  ￥2.10
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥2.00
- 詢價(jià)
- 電焊機(jī)常用MOS管2SK2698 大功率場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:進(jìn)口/臺(tái)灣國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):2SK2698 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:WAFER/裸芯片 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大功率場(chǎng)效應(yīng)管電焊機(jī)mos管
- ≥1 千克
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口MOS管仙童 FQA 11N90C 大功率900V11A 電動(dòng)車充電器專用
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA 11N90C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：電子拆機(jī) 仙童mos管
- ≥200 個(gè)
  
  ￥1.85
- 詢價(jià)
- IR品牌MOS管場(chǎng)效應(yīng)管IRFZ44N大功率高頻快速場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFZ44N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 關(guān)斷速度:高頻(快速) | 極數(shù):三極 | 封裝材料:塑料封裝
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irfz44場(chǎng)效應(yīng)管大功率場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥14000 千克
  
  ￥0.01
- 詢價(jià)
- 大功率MOS管 FDL100N50F FSC仙童 TO264 （100A 500V 1250W）
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDL100N50F | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：仙童mos管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥30.00
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管國(guó)產(chǎn)SI2302 大功率N型MOS管
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:場(chǎng)效應(yīng)管 | 集電極最大耗散功率PCM:0.65W | 封裝:SOT23-3
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng) 大功率場(chǎng)效應(yīng)管
- 10-999 個(gè)
  
  ￥0.20
- 1000-2999 個(gè)
  
  ￥0.15
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- MOS管/ZETEX/FMMT617617大電流大功率芯片
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流mos管
- 詢價(jià)