品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):HN1L02FU | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MAP/匹配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(SI)
≥3000 個(gè)
￥0.35
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI1501DL | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N+P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個(gè)
￥0.65
品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):MCH5809 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類(lèi)型:其他IC | SBD參數(shù):30V，0.5A | MOSFET參數(shù):30V，1.5A
≥3000 個(gè)
￥0.45
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI1551DL | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N+P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個(gè)
￥0.48
品牌:國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):CL11電容器， 聚脂薄膜電容，麥拉電容，2A473滌淪電容 CH11 | 介質(zhì)材料:紙膜復(fù)合 | 應(yīng)用范圍:晶體管電路 | 外形:圓片形 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類(lèi)型:軸向引出線 | 允許偏差:0~100（%） | 耐壓值:1000（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):CL11電容器， 聚脂薄膜電容，麥拉電容，2A473滌淪電容 CH11（mΩ） | 損耗:CL11電容器， 聚脂薄膜電容，麥拉電容，2A473滌淪電容 CH11 | 額定電壓:CL11電容器， 聚脂薄膜電容，麥拉電容，2A473滌淪電容 CH11（V） | 絕緣電阻:CL11電容器， 聚脂薄膜電容，麥拉電容，2A473滌淪電容 CH11（mΩ） | 溫度系數(shù):CL11電容器， 聚脂薄膜電容，麥拉電容，2A473滌淪電容 CH11 | 標(biāo)稱(chēng)容量:CL11電容器， 聚脂薄膜電容，麥拉電容，2A473滌淪電容 CH11
應(yīng)用范圍:帶阻尼 | 品牌:ROHM | 型號(hào):EMD6 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片
≥3000 PCS
￥0.32