品牌:Hitachi/日立 | 型號:5N3011 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 加工定制:否 | 應用范圍:放大
3-9 個
￥5.00
10-49 個
￥4.00
≥50 個
￥3.50
品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SK3000 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
￥0.45
品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SK2570ZL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.2A | 最大源漏電壓VDSS:20V
≥3000 個
￥0.35
品牌:Hitachi/日立 | 型號:3SK238XW | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:12V
≥3000 個
￥0.70
品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SJ517YYTL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1000 個
￥0.55
品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SJ574BPTL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個
￥0.40
品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SJ451ZK | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個
￥0.30
品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SJ317NY | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1000 個
￥0.45
品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SK3290BNTL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.5A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 產品類型:其他
≥3000 個
￥0.43
品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SK2980 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
￥0.45
品牌:RENESAS/瑞薩 | 型號:2SK1835 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:TO3P | 應用范圍:功率
≥1 個
￥6.50
品牌:Hitachi/日立 | 型號:H1061 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 批號:12+ | 封裝:TO-220