種類:MOS模塊 | 品牌:FUJI | 型號:2MI50F-050

類型:電源模塊 | 品牌:APT/上海二工 | 型號:APT50M38JLL | 封裝:詳詢 | 批號:詳詢

品牌:ON/安森美 | 型號:MC33262BDR2G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGL60N100BNTD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Semikron/西門康 | 型號:SKM50BG12 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:MES金屬半導體

類型:電源模塊 | 品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXFK27N80Q | 功率:300 | 封裝:TO-3P | 批號:2011+ | 輸入電壓:800 | 輸出電壓:20

類型:電源模塊 | 品牌:CHIPOWN | 型號:AP8022 | 功率:700V功率MOS | 針腳數(shù):8 | 用途:電視機 | 封裝:DIP | 批號:1306+

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FSBB20CH60F/C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGAAS鋁鎵砷

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA | 型號:TK6A65D | 功率:200 | 用途:MOS | 封裝:TO-220F | 批號:最新

類型:其他IC | 品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXTN58N50 | 功率:原廠規(guī)格 | 封裝:模塊 | 批號:11+

產(chǎn)品類型:其他 | 品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:DSS2X160-01A | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:1 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 溝道類型:P溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

類型:其他IC | 品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXFN80N50 | 功率:原廠規(guī)格 | 封裝:模塊 | 批號:N/A | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXFN60N60 | 功率:原廠規(guī)格 | 封裝:模塊 | 批號:N/A | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:增強型

品牌:LS產(chǎn)電 | 型號:LUH75G1201 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝:SUSPM1

品牌:LS產(chǎn)電 | 型號:LWH150G1201 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:日本 | 型號:PD10M440H | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 最大漏極電流:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:.

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:FF150R12KS4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UHF/超高頻 | 材料:P-FET硅P溝道

類型:電源模塊 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSM150GB120DN2 | 用途:MOS-HBM/半橋組件，MOS-HBM/半橋組件 | 封裝:盒裝 | 封裝外形:平底形 | 關斷速度:高頻(快速) | 極數(shù):二極

品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:QM600HD-M | 控制方式:其他 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 材料:HEMT高電子遷移率 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:EUPEC | 型號:FF200R12KS4 | 控制方式:其他 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1