品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON6752 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.01
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):CJ2302 S2 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
≥3000 PCS
¥0.06
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TPC8032 TPC8033 TPC8034 TPC8035 TPC8036 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個(gè)
¥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQD12P10TM | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
50-999 個(gè)
¥2.10
1000-4999 個(gè)
¥1.90
≥5000 個(gè)
¥1.85
品牌:AO | 型號(hào):AO4408 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:線性 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
100-999 個(gè)
¥0.70
1000-4999 個(gè)
¥0.62
≥5000 個(gè)
¥0.58
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:APEC/富鼎 | 型號(hào):AP9997GH 9997GH | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-252
≥1 個(gè)
¥0.95
品牌:后羿 | 型號(hào):HY1606 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.18
品牌:OGFD | 型號(hào):HS37 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1 個(gè)
¥0.01
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF620S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個(gè)
¥2.00
100-999 個(gè)
¥1.80
≥1000 個(gè)
¥1.50
品牌:YGMOS/永吉茂 | 型號(hào):GT2302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
1-9 盤
¥0.14
10-99 盤
¥0.13
≥100 盤
¥0.12
品牌:SILAN | 型號(hào):SVF2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
≥1000 個(gè)
¥0.10
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRLR3103TRL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
10-99 個(gè)
¥1.00
≥100 個(gè)
¥0.80
品牌:硅能 | 型號(hào):SSF7510 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.22
品牌:江蘇 | 型號(hào):75N08 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.22
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IR2113S | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:電腦 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
1-99 個(gè)
¥3.50
≥100 個(gè)
¥3.30
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF7303 F7303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個(gè)
¥2.00
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):Si4946BEY | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.01
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFH7107TRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.01
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STD45NF75T4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個(gè)
¥1.50
≥100 個(gè)
¥1.35
品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO3413 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
1-999 個(gè)
¥0.30
1000-2999 個(gè)
¥0.25
≥3000 個(gè)
¥0.20