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- SI2333DS-T1-E3/開關(guān)/P溝道增強型場效應管MOSFET/SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2333DS-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.75W | 最大漏極電流ID:-4.1A | 最大源漏電壓VDSS:-12V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場效應管 mosfet場效應管 p場效應管
- ≥3000 個
  
  ￥0.70
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- SI2301ADS/開關(guān)/P溝道增強型場效應管MOSFET/SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2301ADS | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.7W | 最大漏極電流ID:-1.75A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場效應管 mosfet場效應管 p場效應管
- ≥3000 個
  
  ￥0.55
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- UPA611TA/雙N溝道場效應管MOSFET 30V 0.1A SOT-163/高速開關(guān)/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA611TA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 mosfet場效應管 n溝道場效應管
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  ￥0.40
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- SI3424DV-T1-E3/開關(guān)/N溝道增強型場效應管MOSFET/SOT-163
  
  品牌:SILICON | 型號:SI3424DV-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:8A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 應用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場效應管 mosfet場效應管 n溝道場效應管
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  ￥0.75
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- SSM3K15FS/N溝道場效應管MOSFET 30V 0.1A SOT-523/高速開關(guān)/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K15FS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mosfet場效應管 n溝道場效應管
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  ￥0.45
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- IRLML6302/P溝道場效應管MOSFET -20V -0.78A SOT-23/高速開關(guān)/IR
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLML6302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 20a場效應管 mosfet場效應管 p場效應管
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  ￥0.35
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- AOS美國萬代 AO3419 MOS管場效應管 MOSFET
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3419 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應管 aos場效應管美國mos管
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- CPH6303/P溝道場效應管MOSFET/-20V，-4A/開關(guān)/SOT-163/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號:CPH6303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:-4A | 應用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 20a場效應管 mosfet場效應管 p場效應管
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  ￥0.60
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- CPH3310/超高速開關(guān)/P溝道增強型場效應管MOSFET/SOT-23
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號:CPH3310 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-1.6A | 最大源漏電壓VDSS:-20V | 應用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s6場效應管 mosfet場效應管 p場效應管
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
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- CPH3303-TL/超高速開關(guān)/P溝道增強型場效應管MOSFET/SOT-23/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號:CPH3303-TL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1W | 最大漏極電流ID:-1.6A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s6場效應管 mosfet場效應管 p場效應管
- ≥3000 個
  
  ￥0.38
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- CPH3307/超高速開關(guān)/P溝道增強型場效應管MOSFET/SOT-23/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號:CPH3307 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V | 應用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應管 p場效應管
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
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- 3LP01C/超高速開關(guān)/P溝道增強型場效應管MOSFET/SOT-23
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號:3LP01C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.25W | 最大漏極電流ID:-0.1A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應管 p場效應管
- ≥3000 個
  
  ￥0.30
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- UPA1952TE/復合管場效應管MOS 雙P溝道 20V 2A SOT-163/開關(guān)/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號:upa1952te | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 mos場效應管
- ≥3000 個
  
  ￥0.95
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- PMV45EN/高速開關(guān)/N溝道增強型場效應管MOSFET/SOT-23
  
  品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:PMV45EN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:5.4A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 產(chǎn)品類型:其他
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高速mos管 mosfet場效應管 n溝道場效應管
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  ￥0.75
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- BSS83P/開關(guān)/P溝道增強型場效應管MOSFET/SOT-23/Infineon
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSS83P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.36W | 最大漏極電流ID:-0.33A | 最大源漏電壓VDSS:-60V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：英飛凌mos管 mosfet場效應管 p場效應管
- ≥3000 個
  
  ￥0.38
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- BSS192P/開關(guān)/P溝道增強型場效應管MOSFET/SOT-89/Infineon
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSS192P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:-0.19A | 最大源漏電壓VDSS:-250V | 產(chǎn)品類型:其他
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：英飛凌mos管 mosfet場效應管 p場效應管
- ≥3000 個
  
  ￥0.68
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- RHP020N06/高速開關(guān)/N溝道增強型場效應管MOSFET/SOT-89/ROHM
  
  品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RHP020N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:2A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 應用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 2n60場效應管 mosfet場效應管 n溝道場效應管
- ≥1000 個
  
  ￥1.30
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- RHK003N06/4V驅(qū)動開關(guān)/N溝道增強型場效應管MOSFET/SOT-23/ROHM
  
  品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RHK003N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.3A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 應用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 4n60場效應管 mosfet場效應管 n溝道場效應管
- ≥3000 個
  
  ￥0.50
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- RK7002/接口開關(guān)/N溝道增強型場效應管MOSFET/SOT-23/ROHM
  
  品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RK7002 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.225W | 最大漏極電流ID:0.115A | 最大源漏電壓VDSS:60V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： rohm場效應管 mosfet場效應管 n溝道場效應管
- ≥3000 個
  
  ￥0.12
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- PHT6N03T/通用開關(guān)/N溝道增強型場效應管MOSFET/SOT-223/PHILIPS
  
  品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:PHT6N03T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:12.8A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 產(chǎn)品類型:其他
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應管 n溝道場效應管
- ≥1000 個
  
  ￥0.70
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