參數(shù)資料
型號(hào)： CLP200M
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： OVERVOLTAGE AND OVERCURRENT PROTECTION FOR TELECOM LINE
中文描述： 過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)的電信線路保護(hù)
文件頁(yè)數(shù)： 14/21頁(yè)
文件大小： 232K
代理商： CLP200M
TEST CIRCUIT FOR I
SWOFF
PARAMETER: GO-NOGO TEST
R
- V
P
V
BAT
- 48 V
=
Surge
generator
D.U.T.
This is a GO-NOGOtest whichallows to confirmthe switch-off (I
SWOFF
) levelin a functionaltest circuit.
TESTPROCEDURE :
- Adjustthe currentlevel at the I
SWOFF
valueby shortcircuitingthe D.U.T.
- Firethe D.U.T. witha surgecurrent: I
PP
=10A, 10/1000
μ
s.
- The D.U.T.will comeback to the OFF-state within a durationof 50msmax.
3
5
7
9
11
13
100
200
300
500
Rsense ( )
ISWON (mA)
-20
°
C
25
°
C
75
°
C
Fig. 29 :
Typical variation of switching-on current
(positive or negative) versus R
SENSE
resistor and
junctiontemperature(seetestconditionFig 31).
3
5
Rsense ( )
7
9
11
100
200
300
500
Iswon @ 25
°
C (mA)
Iswon min
negative
Iswon max
negative
Iswon min
positive
Iswon min
positive
Fig. 30 :
Variation of switching-on current versus
R
SENSE
at 25
°
C.
TIP
L
TIP
S
GND
Rsense
RING
L
RING
S
±
DUT
R
R
L
I1
48 V
Fig. 31 : I
SWON
MEASUREMENT
- Iswon = I1 when the CLP200Mswitches on (I1is
progressivelyincreasedusing R)
- Both TIP and RING sides of the CLP200M are
checked
- R
L
= 10
.
-40
-20
0
20
Tj(
°
C)
40
60
80
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
ISWOFF [Tj
°
C] / ISWOFF [25
°
C]
Fig. 32 :
Relative variation of switching-offcurrent
versus junctiontemperaturefor R
SENSE
between3
and 10
.
CLP200M
14/21
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CLP270M OVERVOLTAGE AND OVERCURRENT PROTECTION FOR TELECOM LINE
CLP270 OVERVOLTAGE AND OVERCURRENT PROTECTION FOR TELECOM LINE
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