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相關(guān)PDF資料	PDF描述
CM75TF12E	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C)
CM800HA24H	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.2KV V(BR)CES \| 800A I(C)
CM800HA50H	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 2.5KV V(BR)CES \| 800A I(C)
CM800HA66H	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 3.3KV V(BR)CES \| 800A I(C)
CM800HB66H	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| COMPLEX BRIDGE \| 3.3KV V(BR)CES \| 800A I(C)

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CM75TF12E

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C)

CM800HA24H

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 800A I(C)

CM800HA50H

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 2.5KV V(BR)CES | 800A I(C)

CM800HA66H

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 3.3KV V(BR)CES | 800A I(C)

CM800HB66H

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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
CM75MX-12A	功能描述:CIB MOD 600V 75A NX SER RoHS:是類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM75MX-12A_12	制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE
CM75MX-24A	功能描述:CIB MOD 1200V 75A NX SER RoHS:是類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM75MX-24A_12	制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE
CM75MXA-24S	制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE CIB 75A 1200V 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE NX-SERIES CIB 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 75A, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:75A, Collector Emitter Voltage Vces:1.8V, Power Dissipation Pd:600W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, Operating Temperature Min:-40C

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)

參數(shù)描述

CM75MX-12A

功能描述:CIB MOD 600V 75A NX SER RoHS:是類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B

CM75MX-12A_12

制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE

CM75MX-24A

功能描述:CIB MOD 1200V 75A NX SER RoHS:是類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B

CM75MX-24A_12

制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE

CM75MXA-24S

制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE CIB 75A 1200V 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE NX-SERIES CIB 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 75A, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:75A, Collector Emitter Voltage Vces:1.8V, Power Dissipation Pd:600W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, Operating Temperature Min:-40C

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型號(hào)：	CM75E3Y24E
英文描述：	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.2KV V(BR)CES \| 75A I(C)
中文描述：	晶體管\| IGBT功率模塊\|獨(dú)立\| 1.2KV五（巴西）國際消費(fèi)電子展\| 75A條一（c）
文件頁數(shù)：	1/4頁
文件大?。?/td>	226K
代理商：	CM75E3Y24E

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