型號(hào): | CM75E3Y24E |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) |
中文描述: | 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 1.2KV五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展| 75A條一(c) |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大?。?/td> | 226K |
代理商: | CM75E3Y24E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CM75TF12E | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
CM800HA24H | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 800A I(C) |
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CM800HA66H | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 3.3KV V(BR)CES | 800A I(C) |
CM800HB66H | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | COMPLEX BRIDGE | 3.3KV V(BR)CES | 800A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CM75MX-12A | 功能描述:CIB MOD 600V 75A NX SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
CM75MX-12A_12 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE |
CM75MX-24A | 功能描述:CIB MOD 1200V 75A NX SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
CM75MX-24A_12 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE |
CM75MXA-24S | 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE CIB 75A 1200V 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE NX-SERIES CIB 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 75A, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:75A, Collector Emitter Voltage Vces:1.8V, Power Dissipation Pd:600W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, Operating Temperature Min:-40C |