參數(shù)資料
型號： CMBT2907A
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-236AA
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 60V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|至236AA
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： CMBT2907A
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 3 of 4
Transition frequency at f = 100 MHz
–I
C
= 50 mA; – V
CE
= 20 V;
T
amb
= 25 °C
Output capacitance at f = 1 MHz
I
E
= I
e
= 0; –V
CB
= 10V
Input capacitance at f = 1 MHz
I
C
= I
c
= 0; –V
EB
=
2 V
f
T
>
200
MHz
C
o
<
8,0
pF
C
i
<
30
pF
Switching times
(between 10% and 90% levels)
Turn–on time when switched to
–l
C
= 150mA; –l
B
= 15 mA; V
CC
= 30V
delay time
rise time
turn on time (t
d
+ tr)
Turn–off time when switched from
–I
C
= 150 mA; –l
B
= 15 mA; V
CC
= 6 V
to cut–off with + I
BM
= 15 mA
storage time
fall time
turn–off time (t
s
+ t
f
)
t
d
t
r
ton
<
<
<
10
40
45
ns
ns
ns
t
s
t
f
t
off
<
<
<
80
30
100
ns
ns
ns
CMBT2907
CMBT2907A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMBT3903 TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA
CMBT3904 TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA
CMBT4123 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA
CMBT4124 TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA
CMBT4125 TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CMBT2907A-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.6A 60V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2907AT/-W 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.6A 60V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT3903 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
CMBT3904 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN,0.2A,40V GenPur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT3904E 功能描述:兩極晶體管 - BJT SMD Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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