型號(hào): | CMBT4403 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-236AA |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 40V的五(巴西)總裁| 600毫安一(c)|至236AA |
文件頁(yè)數(shù): | 3/3頁(yè) |
文件大小: | 38K |
代理商: | CMBT4403 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CMBT847E | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
CMBT8098 | BJT |
CMBT8099 | BJT |
CMBT847F | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
CMBT847G | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CMBT4403-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.6A 40V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
CMBT4403T/-W | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.6A 40V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
CMBT5087 | 制造商:CDIL 制造商全稱(chēng):Continental Device India Limited 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
CMBT5088 | 制造商:CDIL 制造商全稱(chēng):Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
CMBT5089 | 制造商:CDIL 制造商全稱(chēng):Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |