型號(hào): | CMBT8098 |
英文描述: | BJT |
中文描述: | 雙極型晶體管 |
文件頁數(shù): | 2/3頁 |
文件大小: | 75K |
代理商: | CMBT8098 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CMBT8099 | BJT |
CMBT847F | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
CMBT847G | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
CMBT857E | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
CMBT857F | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CMBT8099 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Si Planar Trans 80V, 10uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
CMBT8099-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
CMBT8099T/-W | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
CMBT847 | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
CMBT847E | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |