參數(shù)資料
型號(hào)： CY62126DV30L-55ZSE
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 64K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44
封裝： TSOP2-44
文件頁(yè)數(shù)： 11/13頁(yè)
文件大?。?/td> 250K
代理商： CY62126DV30L-55ZSE
CY62126DV30
MoBL
Document #: 38-05230 Rev. *G
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Switching Waveforms
Read Cycle No. 1 (Address Transition Controlled)[15, 16]
Read Cycle No. 2 (OE Controlled)[16, 17]
Notes:
15. Device is continuously selected. OE, CE = VIL, BHE, BLE = VIL.
16. WE is HIGH for Read cycle.
17. Address valid prior to or coincident with CE, BHE, BLE transition LOW.
ADDRESS
DATA OUT
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
tRC
tAA
tOHA
50%
DATA VALID
tRC
tACE
tLZBE
tLZCE
tPU
DATA OUT
HIGH IMPEDANCE
IMPEDANCE
ICC
ISB
tHZOE
tHZCE
tPD
OE
CE
HIGH
VCC
SUPPLY
CURRENT
tHZBE
BHE/BLE
tLZOE
ADDRESS
tDOE
tLZOE
tDBE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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CY62148L-100SC 512K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO32
CY74FCT158ATPC FCT SERIES, QUAD 2 LINE TO 1 LINE MULTIPLEXER, INVERTED OUTPUT, PDIP16
CY74FCT377ATQC FCT SERIES, POSITIVE EDGE TRIGGERED D FLIP-FLOP, TRUE OUTPUT, PDSO20
CY7B155-12LC 16K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, CQCC52
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62126DV30L-55ZSI 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY62126DV30L-55ZSXE 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 64K X 16 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62126DV30L-55ZSXET 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 64K X 16 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62126DV30L-70BVI 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY62126DV30L-70ZSI 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:1-Mbit (64K x 16) Static RAM
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