參數(shù)資料
型號(hào)： CY62137CV30LL-70BVXE
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
中文描述： 128K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-48
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大?。?/td> 339K
代理商： CY62137CV30LL-70BVXE
CY62137CV30/33 MoBL
CY62137CV MoBL
Document #: 38-05201 Rev. *G
Page 4 of 13
Capacitance
[6]
Electrical Characteristics
Over the Operating Range (continued)
Parameter
Description
Test Conditions
CY62137CV33-55
CY62137CV-70
Unit
Min.
Typ.
[2]
Max.
Min. Typ.
[2]
Max.
V
OH
Output HIGH Voltage
I
OH
= -1.0 mA
V
CC
= 3.0V
2.4
2.4
V
V
CC
= 2.7V
2.4
V
V
OL
Output LOW Voltage
I
OL
= 2.1 mA
V
CC
= 3.0V
0.4
0.4
V
V
CC
= 2.7V
0.4
V
V
IH
Input HIGH Voltage
2.2
V
CC
+ 0.3
2.2
V
CC
+ 0.3
V
V
IL
Input LOW Voltage
-0.3
0.8
-0.3
0.8
V
I
IX
Input Leakage Current
GND < V
I
< V
CC
-1
+1
-1
+1
μ
A
I
OZ
Output Leakage Current GND < V
O
< V
CC
, Output
Disabled
-1
+1
-1
+1
μ
A
I
CC
V
CC
Operating
Supply Current
f = f
Max
= 1/t
RC
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0 mA
CMOS Levels
7
15
5.5
12
mA
f = 1 MHz
1.5
3
1.5
3
I
SB1
Automatic CE
Power-down
Current —CMOS Inputs
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
> V
CC
– 0.2V or V
IN
< 0.2V,
f = f
Max
(Address and Data Only),
f=0 (OE, WE, BHE, and BLE)
5
15
5
15
μ
A
I
SB2
Automatic CE
Power-down
Current —CMOS Inputs
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
> V
CC
– 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0, V
CC
= 3.6V
LL
5
15
5
15
μ
A
SL
5
15
1
5
Parameter
Description
Test Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
T
A
= 25°C, f = 1 MHz, V
CC
= V
CC(typ.)
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
8
pF
Thermal Resistance
[6]
Parameter
Description
Test Conditions
FBGA
Unit
Θ
JA
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Still Air, soldered on a 3 x 4.5 inch,
2-layer printed circuit board
55
°
C/W
Θ
JC
Thermal Resistance
(Junction to Case)
16
°
C/W
Note:
6. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62137CV33LL 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62137CVSL 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62137CVSL-70BAXI 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62147EV18 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147EV18LL-55BVXI 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62137CV30LL-70BVXET 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SLO 3.0V SUPER LO RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62137CV30LL-70BVXI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY62137CV33 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62137CV33LL 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62137CV33LL-55BAI 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:2M (128K x 16) Static RAM
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