參數(shù)資料
型號(hào)： CY62147EV30LL-45ZSXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
中文描述： 256K X 16 STANDARD SRAM, 45 ns, PDSO44
封裝： LEAD FREE, TSOP2-44
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 517K
代理商： CY62147EV30LL-45ZSXI
CY62147EV30 MoBL
Document #: 38-05440 Rev. *E
Page 8 of 12
Write Cycle No. 3
(WE Controlled, OE LOW)
[21]
Figure 7. Write Cycle No. 3
Write Cycle No. 4
(BHE/BLE Controlled, OE LOW)
[21]
Figure 8. Write Cycle No. 4
Switching Waveforms
(continued)
DATA
IN
t
HD
t
SD
t
LZWE
t
PWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
SCE
t
WC
t
HZWE
t
BW
NOTE 22
CE
ADDRESS
WE
DATA IO
BHE/BLE
t
HD
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SD
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SA
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AW
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WC
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HZWE
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LZWE
NOTE 22
DATA IO
ADDRESS
CE
WE
BHE/BLE
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62147EV30LL-55ZSXE 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
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參數(shù)描述
CY62147EV30LL-45ZSXIT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M Ultra LO Pwr HI SPD Micropwr IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62147EV30LL-55XEKJ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY62147EV30LL-55ZSXE 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M MoBL Ultra Lo PWR HI SPD MicroPWR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62147EV30LL-55ZSXET 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M MoBL Ultra Lo PWR HI SPD MicroPWR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62147LL-70BAI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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