參數(shù)資料
型號(hào): CY7C09449PV
英文描述: Memory
中文描述: 內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù): 17/20頁(yè)
文件大小: 301K
代理商: CY7C09449PV
CY7C138AV/144AV/006AV
CY7C139AV/145AV/016AV
CY7C007AV/017AV
Document #: 38-06051 Rev. *A
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Notes:
13. fMAX = 1/tRC. All inputs cycling at f = 1/tRC (except output enable). f = 0 means no address or control lines change. This applies only to inputs at CMOS level standby ISB3.
14. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
Electrical Characteristics Over the Operating Range
Parameter
Description
CY7C138AV/144AV/006AV
CY7C139AV/145AV/016AV
CY7C007AV/017AV
-20
-25
Unit
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
VOH
Output HIGH Voltage (VCC = 3.3V)
2.4
V
VOL
Output LOW Voltage
0.4
V
VIH
Input HIGH Voltage
2.0
V
VIL
Input LOW Voltage
0.8
V
IOZ
Output Leakage Current
–10
10
–10
10
A
ICC
Operating Current (VCC = Max.,
IOUT = 0 mA) Outputs Disabled
Com’l.
120
175
115
165
mA
Ind.[12]
140
195
mA
ISB1
Standby Current (Both Ports TTL Level)
CEL & CER ≥ VIH, f = fMAX
[13]
Com’l.
35
45
30
40
mA
Ind.[12]
45
55
mA
ISB2
Standby Current (One Port TTL Level)
CEL | CER ≥ VIH, f = fMAX
[13]
Com’l.
75
110
65
95
mA
Ind.[12]
85
130
mA
ISB3
Standby Current (Both Ports CMOS Level)
CEL & CER ≥ VCC – 0.2V, f = 0
[13]
Com’l.
10
500
10
500
A
Ind.[12]
10
500
A
ISB4
Standby Current (One Port CMOS Level)
CEL | CER ≥ VIH, f = fMAX
[13]
Com’l.
70
95
60
80
mA
Ind.[12]
80
105
mA
Capacitance[14]
Parameter
Description
Test Conditions
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance
TA = 25°C, f = 1 MHz,
VCC = 3.3V
10
pF
COUT
Output Capacitance
10
pF
AC Test Loads and Waveforms
3.0V
GND
90%
10%
3ns
3 ns
10%
ALL INPUT PULSES
(a) Normal Load (Load 1)
R1 = 590
3.3V
OUTPUT
R2 = 435
C= 30 pF
VTH =1.4V
OUTPUT
C
= 30 pF
(b) ThéveninEquivalent (Load 1)
(c) Three-State Delay (Load 2)
R1 = 590
R2 = 435
3.3V
OUTPUT
C= 5pF
RTH = 250
including scope and jig)
(Used for tLZ, tHZ, tHZWE & tLZWE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C09569V Memory
CY7C09569V-100AC SYNC SRAM|16KX36|CMOS|QFP|144PIN|PLASTIC
CY7C1413BV18-250BZXI 2M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
CY7C145-35JCR 8K X 9 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC68
CY7C1472BV25-250BZXI 4M X 18 ZBT SRAM, 3 ns, PBGA165
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C09449PVA-AC 功能描述:IC SRAM 128KBIT 50MHZ 160LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
CY7C09449PV-AC 功能描述:IC SRAM 128KBIT 50MHZ 160LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán)
CY7C09569V-100AC 功能描述:IC SRAM 576KBIT 100MHZ 144LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(單線) 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C09569V-100AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512K (16Kx36) 3.3v 100MHz Synch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C09569V-100BBC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512K (16Kx36) 3.3v 100MHz Synch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray