參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1161V18-300BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
中文描述： 2M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 20/29頁(yè)
文件大小： 659K
代理商： CY7C1161V18-300BZI
CY7C1161V18, CY7C1176V18
CY7C1163V18, CY7C1165V18
Document Number: 001-06582 Rev. *D
Page 27 of 29
333
CY7C1161V18-333BZC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C1176V18-333BZC
CY7C1163V18-333BZC
CY7C1165V18-333BZC
CY7C1161V18-333BZXC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1176V18-333BZXC
CY7C1163V18-333BZXC
CY7C1165V18-333BZXC
CY7C1161V18-333BZI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C1176V18-333BZI
CY7C1163V18-333BZI
CY7C1165V18-333BZI
CY7C1161V18-333BZXI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1176V18-333BZXI
CY7C1163V18-333BZXI
CY7C1165V18-333BZXI
300
CY7C1161V18-300BZC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C1176V18-300BZC
CY7C1163V18-300BZC
CY7C1165V18-300BZC
CY7C1161V18-300BZXC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1176V18-300BZXC
CY7C1163V18-300BZXC
CY7C1165V18-300BZXC
CY7C1161V18-300BZI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C1176V18-300BZI
CY7C1163V18-300BZI
CY7C1165V18-300BZI
CY7C1161V18-300BZXI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1176V18-300BZXI
CY7C1163V18-300BZXI
CY7C1165V18-300BZXI
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CY7C1161V18-333BZI 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1161V18-333BZC 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1161V18-300BZXI 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1161V18-300BZXC 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1161V18 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1163KV18-400BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1163KV18-450BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1163KV18-550BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (1Mx18) 1.8v 550MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C11651KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 QDR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C11651KV18-400BZXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165-FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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